Дебютировала серия накопителей Samsung 860 QVO с памятью 3D QLC V-NAND

Samsung Electronics 27 ноября 2018г., представила первую для себя линейку потребительских SSD, использующих микросхемы флэш-памяти с четырьмя битами на ячейку — 860 QVO. В основе данных устройств лежат 64-слойные чипы 3D QLC V-NAND, а их главным достоинством является привлекательное соотношение цены и объёма

Samsung 860 QVO будут доступны в вариантах ёмкостью 1, 2 и 4 ТБ. Накопители выполнены в форм-факторе 2,5-дюйма и оборудованы интерфейсом SATA 6 Гбит/с. «Сердцем» SSD является контроллер Samsung MJX, компанию которому составил буфер LPDDR4 ёмкостью один, два или четыре гигабайта.

Устройства обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 550 и 520 Мбайт/с, а их уровень быстродействия при работе с произвольными блоками достигает 97 тыс. и 89 тыс. IOPS соответственно. Следует иметь в виду, что эти цифры справедливы только при работе накопителей в SLC-режиме.

Что касается выносливости, то в течение трёхлетнего гарантийного срока на модели 860 QVO объёмом 1, 2 и 4 ТБ можно записать 360, 720 и 1440 Тбайт информации. Иными словами, 360 раз перезаписать полностью заполненный SSD.

Рекомендованная цена твердотельного накопителя Samsung 860 QVO на 1 Тбайт составляет $150, тогда как версии на 2 и 4 ТБ обойдутся минимум в $300 и $600. На прилавках магазинов новинки появятся в следующем месяце.